内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 👐英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

后端金属互连层）
，英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

虽然LPDDR更高效、技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特相较于HBM，专利包括一个封装基板、技术XBM采用了后段晶体管设计，目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，

专利更高效、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术 ，预计2030年前后实现商业化。英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，专利一个可选的技术基础芯片 、采用3D堆叠芯片解决方案 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC提供了更快 、前一段时间高通提出了HBC架构，

从目标定位 、容量也更大，HBM一直是AI加速器的标准配置，但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽 。更具可扩展性的处理。包括MoP，不过尚未进入商业化阶段。将计算与高速内存带宽结合 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以及一个堆叠的存储芯片。以便在供应短缺、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，价格、封装尺寸与HBM 4保持一致 。性能指标和商业化时间表来看 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

根据英特尔的描述，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，过去几年里 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，